Появление портативной электроники, таких как сотовые телефоны, MP3 плееры, цифровые фотоаппараты и netbooks, за последние 20 лет привела к резкого повышения спроса на (с сохранением информации после отключения питания) энергонезависимой флэш-памяти из-за ее размер небольшие клетки и низкое потребление энергии. Масштабирование более 15 нанометров (функция измерения) технологии флэш-памяти то, весьма проблематичными из фундаментальных ограничения структуры клеток. Группа клеток флэш-памяти очень похожи на обычные металл оксид полупроводник полевого транзистора (MOSFET), за исключением дополнительного плавучих ворот для хранения электрических зарядов. Не ясно ли MOSFET технология может быть расширена за пределы длины канала 15 нм, так как физическое ограничение квантовой механики туннельный ток может доминировать в такие короткие канала длины.

Между тем, был весьма активные исследования в альтернативных энергонезависимой памяти для замены флэш. Среди наиболее зрелых являются сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM), магнитного память (MRAM) и оперативной фазы изменение памяти (PCRAM). Хотя MOSFET технология не является необходимым для хранения данных в этих технологиях, добавив в подразделение клетки это неизбежно в большинстве случаев для обеспечения правильной операции чтения и записи в массиве памяти, где беспорядки из соседних клеток вызывает серьезную озабоченность. Таким образом, масштабируемость этих технологий за пределами текущей флэш память является неправдоподобной. , Мы вернемся к этому вопросу позднее в этой статье. Кроме того, потому что их подразделение клетки (сделаны из MOSFET плюс элемент памяти) больше чем у флэш, стоимость будет выше. В результате, они вряд ли конкурировать непосредственно с Flash-памятью на основном рынке. Действительно, текущих приложений FRAM, MRAM и PCRAM ограничены нишевых областей, таких как аэрокосмические системы.