- Отрасли: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
모든 장치 또는 최소 풀 보다 낮은 당겨 힘을 주어진된 많은 장치 샘플에 모든 전선의 끌어 강조 파괴적인 본드 풀에 대 한 제한을 강제로.
Industry:Semiconductors
접합 트랜지스터는 N 형이 미터와 N 형 수집기 사이의 P 형 자료를 배치 하 여 건설. 는이 미터는 기본에 대해 일반적으로 부정적인 및 수집기는 기본에 대해 일반적으로 긍정적인.
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(적용 된 전기 바이어스와 높은 온도에 노출) 화상에에서 연장된 기간 (일반적으로 125 ° C에서 1000 시간)에 대 한 수행. 일반적으로 샘플 테스트입니다.
Industry:Semiconductors
(절연 격리는 분리 하 여 완전 하 게 전달 하 여 회로 요소 아래와 혼동 하지 요소 사이의 장벽 산화물의 건설을 통해 반도체 장치에서 회로 요소 분리.
Industry:Semiconductors
확산된 회로 요소 간의 상호 작용입니다. A는 기생의 좋은 예를 들어 트랜지스터의 컬렉터-기판 접합의 관련된 커패시턴스 수집기 직렬 저항 (RSAT) 것입니다. 사실, 매장된 층 N + 확산 컬렉터 저항을 줄이는 데 사용 됩니다 . 의 전류 특성 반도체 기술이이 기생을 제거 하기 위해 불가능 하 게. 회로에 미치는 영향에 중요 한, 또는 회로 이러한 기생 소자를 활용 하도록 하는 경우, 그들은 회로도에 표시 됩니다.
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가스 또는 액체 청결, 일반적으로 입방 피트 당 부분에 명시 된 측정 비율. 예를 들어, 클래스 10 작업 영역 중 하나는 10 개 이상 입자 크기의 공기 입방 피트당 1 미크론 보다 큰 포함 된 것입니다.
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