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National Semiconductor Corporation
Отрасли: Semiconductors
Number of terms: 2987
Number of blossaries: 0
Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
Em sistemas de dados digitais, a utilização de um número de processadores dedicados, distribuídos em todo o sistema com a finalidade de fazer cálculo localmente.
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Impureza que pode fazer um semicondutor tipo N, doando elétrons extra "livres" para a banda de condução. o livre elétrons são portadores de carga negativa.
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A introdução de uma impureza em cristalina de um semicondutor para modificar suas propriedades elétricas, criando uma concentração de transportadoras de n ou P.
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Uma dissecação de dispositivo realizados para fins de construção de analisar ou avaliar a conformidade com as especificações pré-determinadas.
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Um pacote (hermético ou moldado) com suas ligações provenientes de ambos os lados do pacote e, em seguida, virar para baixo.
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Um dispositivo de memória, cujo conteúdo pode ser estabelecido através de um processo de programação (geralmente o tunelamento de elétrons através de uma fina camada de dióxido de silício para um portão flutuante. Cada célula de memória de uma EEPROM pode ser apagada individualmente através da imposição de uma tensão para inverter o fluxo de elétrons para movê-los longe da porta flutuante. Que a célula, em seguida, pode ser reprogramada. Tanto a programação como apagar pode ser executada sem a remoção do dispositivo do sistema em que é usado.
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A data em que um novo documento militar ou uma nova revisão de um documento existente entra em vigor.
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Migração de partículas em condutores de película fina ou polissilício de alumínio nos limites de grão, como resultado de altas densidades de corrente. Electromigration pode levar a uma condição de circuito aberto ou em um condutor ou um curto entre conectores adjacentes.
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Susceptibilidade ao dano ou degradação, como resultado de sujeição à descarga eletrostática. Normalmente muito maior para dispositivos MOS do que para o bipolar.
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A descarga de carga estática acumulada (normalmente de alta tensão em baixa corrente) de um coletor para outro, geralmente saltando o espaço de ar entre os dois.
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